[实用新型]IMD测量电路结构

摘要

本实用新型提供一种IMD测量电路结构，包括：平行设置的第一测量板、第二测量板、第三测量板，所述第一测量板连接若干第一通孔测试结构，所述第二测量板连接若干第二通孔测试结构，所述第三测量板连接若干第三通孔测试结构，所述第三测量板与所述第二测量板之间连接一二极管，所述第一测量板、第二测量板、第三测量板、第一通孔测试结构、第二通孔测试结构、第三通孔测试结构通过一介质层进行电性隔离。对一体化刻蚀工艺中的正常大小的通孔和大通孔同时进行IMD性能测试，降低了一体化刻蚀工艺中大通孔所引起的稳定性的风险。

主权项

一种IMD测量电路结构，其特征在于，包括：平行设置的第一测量板、第二测量板、第三测量板，所述第一测量板连接若干第一通孔测试结构，所述第二测量板连接若干第二通孔测试结构，所述第三测量板连接若干第三通孔测试结构，所述第三测量板与所述第二测量板之间连接一二极管，所述第一测量板、第二测量板、第三测量板、第一通孔测试结构、第二通孔测试结构、第三通孔测试结构通过一介质层进行电性隔离；所述第一通孔测试结构包括第一上层金属线层、第一下层金属线层及连接所述第一上层金属线层和第一下层金属线层的第一通孔；所述第二通孔测试结构包括第二上层金属线层、第二下层金属线层及连接所述第二上层金属线层和第二下层金属线层的第二通孔；所述第三通孔测试结构包括第三上层金属线层、第三下层金属线层及连接所述第三上层金属线层和第三下层金属线层的第三通孔，所述第三上层金属线层的宽度大于所述第三下层金属线层的宽度；所述第一上层金属线层、所述第二上层金属线层及所述第三下层金属线层位于同一金属层，所述第一下层金属线层与所述第二下层金属线层位于同一金属层。