[实用新型]IMD测量电路结构

权利要求书

1.一种IMD测量电路结构，其特征在于，包括：平行设置的第一测量板、第二测量板、第三测量板，所述第一测量板连接若干第一通孔测试结构，所述第二测量板连接若干第二通孔测试结构，所述第三测量板连接若干第三通孔测试结构，所述第三测量板与所述第二测量板之间连接一二极管，所述第一测量板、第二测量板、第三测量板、第一通孔测试结构、第二通孔测试结构、第三通孔测试结构通过一介质层进行电性隔离；

所述第一通孔测试结构包括第一上层金属线层、第一下层金属线层及连接所述第一上层金属线层和第一下层金属线层的第一通孔；

所述第二通孔测试结构包括第二上层金属线层、第二下层金属线层及连接所述第二上层金属线层和第二下层金属线层的第二通孔；

所述第三通孔测试结构包括第三上层金属线层、第三下层金属线层及连接所述第三上层金属线层和第三下层金属线层的第三通孔，所述第三上层金属线层的宽度大于所述第三下层金属线层的宽度；

所述第一上层金属线层、所述第二上层金属线层及所述第三下层金属线层位于同一金属层，所述第一下层金属线层与所述第二下层金属线层位于同一金属层。

2.如权利要求1所述的IMD测量电路结构，其特征在于，所述第三上层金属线层的宽度为所述第三下层金属线层宽度的2～20倍。

3.如权利要求2所述的IMD测量电路结构，其特征在于，所述第一通孔的侧切面为梯形，所述第一通孔连接所述第一上层金属线层的一端的宽度大于连接所述第一下层金属线层的一端的宽度。

4.如权利要求2所述的IMD测量电路结构，其特征在于，所述第二通孔的侧切面为梯形，所述第二通孔连接所述第二上层金属线层的一端的宽度大于连接所述第二下层金属线层的一端的宽度。

5.如权利要求2所述的IMD测量电路结构，其特征在于，所述第三通孔的侧切面为梯形，所述第三通孔连接所述第三上层金属线层的一端的宽度大于连接所述第三下层金属线层的一端的宽度。

6.如权利要求1所述的IMD测量电路结构，其特征在于，所述二极管的正极与所述第三测量板连接，所述二极管的负极与所述第二测量板连接。

7.如权利要求1所述的IMD测量电路结构，其特征在于，所述第一上层金属线层的宽度与所述第一下层金属线层的宽度相等，所述第一上层金属线层位于所述第一下层金属线层的正上方。

8.如权利要求1所述的IMD测量电路结构，其特征在于，所述第二上层金属线层的宽度与所述第二下层金属线层的宽度相等，所述第二上层金属线层位于所述第二下层金属线的正上方。

9.如权利要求1所述的IMD测量电路结构，其特征在于，所述第一测量板包括第一上层测量板和第一下层测量板，所述第一上层测量板与所述第一上层金属线层连接，所述第一下层测量板与所述第一下层金属线层连接，所述第一上层测量板位于所述第一下层测量板的正上方。

10.如权利要求1所述的IMD测量电路结构，其特征在于，所述第二测量板包括第二上层测量板和第二下层测量板，所述第二上层测量板与所述第二上层金属线层连接，所述第二下层测量板与所述第二下层金属线层连接，所述第二上层测量板位于所述第二下层测量板的正上方。

11.如权利要求1至10任意一项所述的IMD测量电路结构，其特征在于，至少有一个所述第一通孔测量结构位于一个所述第二通孔测量结构的邻侧，至少有一个所述第一通孔测量结构位于一个所述第三通孔测量结构的邻侧。