[实用新型]可调控SiC晶体生长梯度的水冷装置及晶体生长炉有效
| 申请号： | 201420784501.9 | 申请日： | 2014-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN204417641U | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 邓树军;高宇;巴音图;陶莹 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 韩敏 |
| 地址： | 071051 河北省保定市二环路*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种可调控SiC晶体生长梯度的水冷装置及晶体生长炉，水冷装置包括升降机构、水冷环、通水不锈钢支撑杆、铁磁流体、旋转水套和进、出水口，进、出水口下方依次顺序连接旋转水套、通水不锈钢支撑杆和水冷环，通水不锈钢支撑杆穿过晶体生长炉顶部与水冷环连通，铁磁流体套设在旋转水套与通水不锈钢支撑杆连接处的外侧，铁磁流体下方的通水不锈钢支撑杆外由上到下依次套设有真空波纹管和真空法兰，真空法兰固定在晶体生长炉顶部，升降机构与铁磁流体连接。本实用新型通过进出水及升降装置带动水冷环上下运动的控制，可以达到调节晶体生长的温场，旋转水套的设置可以带动水冷环旋转，进一步对晶体生长环境内温度调节的目的，进而提高碳化硅晶体的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 调控 sic 晶体生长 梯度 水冷 装置 | ||
【主权项】：
一种可调控SiC晶体生长梯度的水冷装置，其特征在于:包括升降机构、水冷环、通水不锈钢支撑杆、铁磁流体、旋转水套和进、出水口，所述进、出水口下方依次顺序连接旋转水套、通水不锈钢支撑杆和水冷环，所述通水不锈钢支撑杆穿过晶体生长炉顶部与所述水冷环连通，所述铁磁流体套设在所述旋转水套与通水不锈钢支撑杆连接处的外侧，所述铁磁流体下方的通水不锈钢支撑杆外由上到下依次套设有真空波纹管和真空法兰，所述真空法兰固定在所述晶体生长炉顶部，所述升降机构与所述铁磁流体连接。
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