[实用新型]可调控SiC晶体生长梯度的水冷装置及晶体生长炉有效
| 申请号： | 201420784501.9 | 申请日： | 2014-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN204417641U | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 邓树军;高宇;巴音图;陶莹 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 韩敏 |
| 地址： | 071051 河北省保定市二环路*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 调控 sic 晶体生长 梯度 水冷 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种可调控SiC晶体生长梯度的水冷装置，其特征在于:包括升降机构、水冷环、通水不锈钢支撑杆、铁磁流体、旋转水套和进、出水口，所述进、出水口下方依次顺序连接旋转水套、通水不锈钢支撑杆和水冷环，所述通水不锈钢支撑杆穿过晶体生长炉顶部与所述水冷环连通，所述铁磁流体套设在所述旋转水套与通水不锈钢支撑杆连接处的外侧，所述铁磁流体下方的通水不锈钢支撑杆外由上到下依次套设有真空波纹管和真空法兰，所述真空法兰固定在所述晶体生长炉顶部，所述升降机构与所述铁磁流体连接。
2.根据权利要求1所述的可调控SiC晶体生长梯度的水冷装置，其特征在于：所述升降机构为丝杠。
3.一种晶体生长炉，包括石英管炉体，所述石英管炉体内设有侧面保温层，所述侧面保温层内设有坩埚，所述坩埚下半部分设有SiC粉料容纳腔，所述坩埚的上半部分设有籽晶放置腔，所述籽晶放置腔上方设有上部保温层，所述上部保温层与所述籽晶放置腔之间具有空气流通的间隙，其特征在于：所述上部保温层上方设有如权利要求1或2所述的水冷装置。
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