[实用新型]MEMS器件结构有效
| 申请号： | 201420635945.6 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN204251331U | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 郑超;马军德 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种MEMS器件结构，包括：第一半导体衬底；位于所述第一半导体衬底内的电极；位于所述第一半导体衬底上方、通过一锚点与所述电极相连接的微结构和位于所述微结构外围的第一焊垫；保护结构，所述保护结构位于所述微结构与所述第一半导体衬底之间。在微结构与所述第一半导体衬底之间设置保护结构，所述保护结构在所述MEMS器件结构受到外力作用的时候，可以起到缓冲作用，有效地减小所述微结构在外力作用下震动的幅度，避免所述微结构因外力而造成破坏，进而提高了产品的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件结构，包括：第一半导体衬底；位于所述第一半导体衬底内的电极；位于所述第一半导体衬底上方、通过一锚点与所述电极相连接的微结构和位于所述微结构外围的第一焊垫，其特征在于，所述MEMS器件结构还包括一保护结构，所述保护结构位于所述微结构与所述第一半导体衬底之间。
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