[实用新型]一种具有ESD保护电路结构的LED芯片有效
| 申请号： | 201420635631.6 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN204167346U | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 廉大桢;陈勘;李培咸;S.L.王;刘大为;李建婷;李玮霖;闫秋迎;林琳;魏萍 | 申请（专利权）人： | 西安中为光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京鼎宏元正知识产权代理事务所(普通合伙) 11458 | 代理人： | 李波;武媛 |
| 地址： | 710065 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有ESD保护电路结构的LED芯片，包括衬底、第一N型层、第一多量子阱、第一P型层、第一电流扩展层、第一P型电极层、第一N型电极层、第二N型层、第二多量子阱、第二P型层、第二电流扩展层、第二P型电极层和第二N型电极层。本实用新型所述具有ESD保护电路结构的LED芯片在静电反向放电情况下有效的避免发光二极管遭到破坏，制作工艺简单，节约了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 esd 保护 电路 结构 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种具有ESD保护电路结构的LED芯片，其特征在于包括：衬底(10)、第一N型层(20)、第一多量子阱(30)、第一P型层(40)、第一电流扩展层(50)、第一P型电极层(60)、第一N型电极层(70)、第二N型层(22)、第二多量子阱(32)、第二P型层(42)、第二电流扩展层(52)、第二P型电极层(62)和第二N型电极层(72)，其中，所述衬底(10)、所述第一N型层(20)、所述第一多量子阱(30)、所述第一P型层(40)、所述第一电流扩展层(50)和所述第一P型电极层(60)依次相连接；所述衬底(10)、所述第二N型层(22)、所述第二多量子阱(32)、所述第二P型层(42)、所述第二电流扩展层(52)和所述第二P型电极层(62)依次相连接；所述第一N型电极层(70)与所述第一N型层(20)相连接；所述第二N型电极层(72)与所述第二N型层(22)相连接。
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