[实用新型]复合衬底以及包括该复合衬底的垂直结构发光二极管有效

专利信息
申请号: 201420613863.1 申请日: 2014-10-23
公开(公告)号: CN204155952U 公开(公告)日: 2015-02-11
发明(设计)人: 郭德博;徐正毅 申请(专利权)人: 北京中科天顺信息技术有限公司
主分类号: H01L33/12 分类号: H01L33/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 102206 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型涉及一种复合衬底以及包括该复合衬底的垂直结构发光二极管。该复合衬底包括半导体部;以及金属部,设置于所述半导体部上,其中所述金属部远离所述半导体部的一侧设置有用于接纳所述发光二极管的发光结构的接纳部,并且所述接纳部的侧壁环绕所述发光结构的侧壁。通过本实用新型的复合衬底,能够有效地避免仅仅使用半导体材料作为支撑衬底容易碎裂的问题以及仅仅使用金属材料作为支撑衬底的变形问题,而且能够使芯片易于分离。
搜索关键词: 复合 衬底 以及 包括 垂直 结构 发光二极管
【主权项】:
一种用于发光二极管的复合衬底,其特征在于,所述复合衬底包括:半导体部;以及金属部,设置于所述半导体部上,其中所述金属部远离所述半导体部的一侧设置有用于接纳所述发光二极管的发光结构的接纳部,并且所述接纳部的侧壁环绕所述发光结构的侧壁。
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