[实用新型]一种电源开关电路芯片结构有效
| 申请号： | 201420586975.2 | 申请日： | 2014-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN204118069U | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 侯助荣;李长征 | 申请（专利权）人： | 上海华力创通半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 曾耀先 |
| 地址： | 201701 上海市青浦区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种电源开关电路芯片结构，包括N型MOS管、源极电源VSS、漏极电源VDD、衬底电源线VDDG，所述N型MOS管呈上下重叠结构，所述衬底电源线VDDG、源极电源VSS的金属层设置在芯片边缘，所述漏极电源VDD与衬底电源线VDDG直线连接，本实用新型可以从整体上减小电源开关电路芯片的表面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电源开关 电路 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种电源开关电路芯片结构，包括N型MOS管、源极电源VSS、漏极电源VDD、衬底电源线VDDG，其特征在于：所述N型MOS管呈上下重叠结构，所述衬底电源线VDDG、源极电源VSS的金属层设置在芯片边缘,所述漏极电源VDD与衬底电源线VDDG直线连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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