[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201420535461.4 | 申请日： | 2014-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN204257647U | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | P·莫兰;柳青;N·劳贝特 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 根据本公开的一个方面，提供一种半导体器件，包括：应变的、绝缘体上半导体(SOI)衬底，其包括应变半导体层；浅沟槽隔离(STI)，约束在所述SOI衬底中的所述应变半导体层，其中所述STI延伸越过所述SOI衬底的氧化物层进入所述SOI衬底中；以及弛豫减少衬垫，在所述STI上以及在所述应变半导体层的相邻侧壁上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：应变的、绝缘体上半导体衬底，其包括应变半导体层；浅沟槽隔离，约束在所述绝缘体上半导体衬底中的所述应变半导体层，其中所述浅沟槽隔离延伸越过所述绝缘体上半导体衬底的氧化物层进入所述绝缘体上半导体衬底中；以及弛豫减少衬垫，在所述浅沟槽隔离上以及在所述应变半导体层的相邻侧壁上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
