[实用新型]LED芯片有效
申请号: | 201420533210.2 | 申请日: | 2014-09-16 |
公开(公告)号: | CN204144306U | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | 张杰;彭遥 | 申请(专利权)人: | 惠州比亚迪实业有限公司 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/62 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 516083*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种LED芯片。该LED芯片包括:LED管芯,所述LED管芯包括衬底、缓冲层、形成在所述缓冲层之上的第一半导体层、形成在第一半导体之上的量子阱层和形成在量子阱层之上的第二半导体层,其中,第一半导体层包括第一区域和环绕第一区域的第二区域,量子阱层形成在第一区域之上;第一电极,第一电极形成在第二区域之上;第二电极,第二电极形成在第二半导体层之上;以及封装支架,封装支架具有导电基板、第一导电端和与导电基板相连的第二导电端,其中,LED管芯设置在导电基板之上,且第一导电端与第二电极相连,导电基板与第一电极相连。本实用新型中第一电极环绕第二电极,能够有效增强电流扩散均匀性,提高LED发光效率,增加芯片寿命。 | ||
搜索关键词: | led 芯片 | ||
【主权项】:
一种LED芯片,其特征在于,包括:LED管芯,所述LED管芯包括衬底、缓冲层、形成在所述缓冲层之上的第一半导体层、形成在所述第一半导体之上的量子阱层和形成在所述量子阱层之上的第二半导体层,其中,所述第一半导体层包括第一区域和环绕所述第一区域的第二区域,所述量子阱层形成在所述第一区域之上;第一电极,所述第一电极形成在所述第二区域之上;第二电极,所述第二电极形成在所述第二半导体层之上;以及封装支架,所述封装支架具有导电基板、第一导电端和与所述导电基板相连的第二导电端,其中,所述LED管芯设置在所述导电基板之上,且所述第一导电端与所述第二电极相连,所述导电基板与所述第一电极相连。
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