[实用新型]高压无阻达林顿功率晶体管

摘要

本实用新型提供一种高压无阻达林顿功率晶体管，包括一N型衬底，形成于N型衬底背面的背面金属层，用于形成前级晶体管T1和后级晶体管T2共接的集电极；在N型衬底的正面形成有相互隔离的前级晶体管T1的P型基区和后级晶体管T2的P型基区；在前级晶体管T1的P型基区内形成有前级晶体管T1的N+型发射区；在后级晶体管T2的P型基区内形成有后级晶体管T2的N+型发射区；在N型衬底的正面覆盖有氧化层；N型衬底的正面氧化层之上还形成有连接前级晶体管T1的N+型发射区和后级晶体管T2的P型基区的连接金属层；衬底的正面最外层覆盖有聚酰亚胺有机薄膜钝化层。该高压无阻达林顿晶体管具有击穿电压高、控制范围大、二次击穿耐量高、抗烧毁性强等特点。

主权项

一种高压无阻达林顿功率晶体管，包括一N型衬底，其特征在于，还包括：形成于N型衬底背面的背面金属层(8)，用于形成前级晶体管T1和后级晶体管T2共接的集电极；在N型衬底的正面形成有相互隔离的前级晶体管T1的P型基区(5)和后级晶体管T2的P型基区(9)；在前级晶体管T1的P型基区(5)内形成有前级晶体管T1的N+型发射区(4)；在后级晶体管T2的P型基区(9)内形成有后级晶体管T2的N+型发射区(10)；在N型衬底的正面覆盖有氧化层(3)；N型衬底的正面氧化层(3)之上还形成有连接前级晶体管T1的N+型发射区(4)和后级晶体管T2的P型基区(9)的连接金属层(2)；在前级晶体管T1的P型基区(5)上方的衬底正面设有前级晶体管T1基极金属层(5a)，用于形成T1管的基极；在后级晶体管T2的N+型发射区(10)上方的衬底正面设有后级晶体管T2发射极金属层(10a)，用于形成T2管的发射极；在N型衬底的正面最外层覆盖有聚酰亚胺有机薄膜钝化层(1)。