[实用新型]高压无阻达林顿功率晶体管有效
| 申请号： | 201420532835.7 | 申请日： | 2014-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN204118070U | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 龚利汀;易琼红;龚利贞 | 申请（专利权）人： | 无锡固电半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/082 | 分类号： | H01L27/082;H01L29/739 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 无阻 达林顿 功率 晶体管 | ||
1.一种高压无阻达林顿功率晶体管，包括一N型衬底，其特征在于，还包括：
形成于N型衬底背面的背面金属层(8)，用于形成前级晶体管T1和后级晶体管T2共接的集电极；
在N型衬底的正面形成有相互隔离的前级晶体管T1的P型基区(5)和后级晶体管T2的P型基区(9)；在前级晶体管T1的P型基区(5)内形成有前级晶体管T1的N+型发射区(4)；在后级晶体管T2的P型基区(9)内形成有后级晶体管T2的N+型发射区(10)；在N型衬底的正面覆盖有氧化层(3)；
N型衬底的正面氧化层(3)之上还形成有连接前级晶体管T1的N+型发射区(4)和后级晶体管T2的P型基区(9)的连接金属层(2)；
在前级晶体管T1的P型基区(5)上方的衬底正面设有前级晶体管T1基极金属层(5a)，用于形成T1管的基极；
在后级晶体管T2的N+型发射区(10)上方的衬底正面设有后级晶体管T2发射极金属层(10a)，用于形成T2管的发射极；
在N型衬底的正面最外层覆盖有聚酰亚胺有机薄膜钝化层(1)。
2.如权利要求1所述的高压无阻达林顿功率晶体管，其特征在于：
所述背面金属层(8)包含三层结构，与衬底相接的是钛层，中间为镍层，底层为银层。
3.如权利要求1所述的高压无阻达林顿功率晶体管，其特征在于：
N型衬底包括与背面金属层(8)相接的N+型第一衬底子层(7)和第一衬底子层(7)之上的N-型第二衬底子层(6)。
4.如权利要求3所述的高压无阻达林顿功率晶体管，其特征在于：
N+型第一衬底子层(7)采用三重扩散结构，自背面金属层(8)至第二衬底子层(6)方向三重扩散的浓度递减。
5.如权利要求1所述的高压无阻达林顿功率晶体管，其特征在于：
氧化层(3)包含两个子层，其上层为二氧化硅层，下层为磷硅酸玻璃层。
6.如权利要求1所述的高压无阻达林顿功率晶体管，其特征在于：
后级晶体管T2的N+型发射区(10)旁侧还设有N+型增阻环(11)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
