[实用新型]发光二极管有效

专利信息
申请号: 201420517945.6 申请日: 2014-09-10
公开(公告)号: CN204167349U 公开(公告)日: 2015-02-18
发明(设计)人: 蔡钟炫;韩釉大;李俊燮;卢元英;姜珉佑;徐大雄;张锺敏;金贤儿 申请(专利权)人: 首尔伟傲世有限公司
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 韩芳;尹淑梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 实用新型公开了一种发光二极管。该发光二极管包括:基底;半导体层,形成在基底的一个表面上;以及抗反射元件,形成在基底的另一表面上,其中,抗反射元件包括纳米图案。抗反射元件置于基底和空气之间,以减少从半导体堆叠件穿过基底传播到空气的光的全反射,从而改善光提取效率。另外,由于抗反射元件以纳米图案形成,所以抗反射元件可以以蛾眼图案来形成,从而显著地减少在基底和半导体层之间的界面处的反射。
搜索关键词: 发光二极管
【主权项】:
一种发光二极管,所述发光二极管包括:基底;半导体层,形成在基底的一个表面上;以及抗反射元件,形成在基底的另一表面上,其中,抗反射元件包括纳米图案。
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