[实用新型]发光二极管有效
申请号: | 201420517945.6 | 申请日: | 2014-09-10 |
公开(公告)号: | CN204167349U | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 蔡钟炫;韩釉大;李俊燮;卢元英;姜珉佑;徐大雄;张锺敏;金贤儿 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩芳;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本实用新型公开了一种发光二极管。该发光二极管包括:基底;半导体层,形成在基底的一个表面上;以及抗反射元件,形成在基底的另一表面上,其中,抗反射元件包括纳米图案。抗反射元件置于基底和空气之间,以减少从半导体堆叠件穿过基底传播到空气的光的全反射,从而改善光提取效率。另外,由于抗反射元件以纳米图案形成,所以抗反射元件可以以蛾眼图案来形成,从而显著地减少在基底和半导体层之间的界面处的反射。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种发光二极管,所述发光二极管包括:基底;半导体层,形成在基底的一个表面上;以及抗反射元件,形成在基底的另一表面上,其中,抗反射元件包括纳米图案。
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