[实用新型]一种全背电极P型晶硅异质结太阳电池结构

摘要

本实用新型公开了一种全背电极P型晶硅异质结太阳电池结构，它包括P型硅基底（1），在P型硅基底（1）的前表面上由里至外依次有纳米绒面层（2）、P⁺型硼浅扩散晶硅层（4）以及SiOx钝化/SiNx减反层（5）；P型硅基底（1）的背面分为N区（12）、P区（11）和位于N区（12）、P区（11）之间的开膜区（10）；所述N区（12）从上到下包括本征非晶硅薄膜层（6）、n型非晶硅薄膜层（7）、透明导电薄膜层（8）和背电极层（9）；所述P区（11）从上到下包括P⁺⁺型硼重扩散晶硅层（3）、透明导电薄膜层（8）以及背电极层（9）。该电池结构不仅提高电池对光的吸收能力、转换效率，提高短路电流，而且简化工艺步骤、降低生产成本。

主权项

一种全背电极P型晶硅异质结太阳电池结构，包括P型硅基底(1)，其特征是，在所述P型硅基底(1)的前表面上由里至外依次有纳米绒面层(2)、P⁺型硼浅扩散晶硅层(4)以及SiOx钝化/SiNx减反层(5)；所述P型硅基底(1)的背面分为N区(12)、P区(11)和位于N区(12)、P区(11)之间的开膜区(10)；所述N区(12)从上到下包括本征非晶硅薄膜层(6)、n型非晶硅薄膜层(7)、透明导电薄膜层(8)和背电极层(9)，且所述本征非晶硅薄膜层(6)与P型硅基底(1)的背表面连接；所述P区(11)从上到下包括P⁺⁺型硼重扩散晶硅层(3)、透明导电薄膜层(8)以及背电极层(9)，且所述P⁺⁺型硼重扩散晶硅层(3)与所述P型硅基底(1)的背表面连接。