[实用新型]一种全背电极P型晶硅异质结太阳电池结构有效
| 申请号： | 201420484205.7 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN204130563U | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 周洪彪;刘文峰;汪已琳 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强;刘佳芳 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电极 型晶硅异质结 太阳电池 结构 | ||
1.一种全背电极P型晶硅异质结太阳电池结构，包括P型硅基底(1)，其特征是，在所述P型硅基底(1)的前表面上由里至外依次有纳米绒面层(2)、P+型硼浅扩散晶硅层(4)以及SiOx钝化/SiNx减反层(5)；所述P型硅基底(1)的背面分为N区(12)、P区(11)和位于N区(12)、P区(11)之间的开膜区(10)；所述N区(12)从上到下包括本征非晶硅薄膜层(6)、n型非晶硅薄膜层(7)、透明导电薄膜层(8)和背电极层(9)，且所述本征非晶硅薄膜层(6)与P型硅基底(1)的背表面连接；所述P区(11)从上到下包括P++型硼重扩散晶硅层(3)、透明导电薄膜层(8)以及背电极层(9)，且所述P++型硼重扩散晶硅层(3)与所述P型硅基底(1)的背表面连接。
2.根据权利要求1所述全背电极P型晶硅异质结太阳电池结构，其特征是，所述P型硅基底(1)为P型单晶硅或多晶硅，厚度为50μm～300μm。
3.根据权利要求1或2所述全背电极P型晶硅异质结太阳电池结构，其特征是，所述纳米绒面层(2)为类金字塔状或蜂窝状，纳米绒面层厚度为50nm～900nm。
4.根据权利要求1或2所述全背电极P型晶硅异质结太阳电池结构，其特征是，所述P+型硼浅扩散晶硅层(4)的厚度为0.1μm～0.5μm，方块电阻为50～200ohm/Sq。
5.根据权利要求1或2所述全背电极P型晶硅异质结太阳电池结构，其特征是，所SiOx钝化/SiNx减反层(5)的总厚度为25nm～150nm。
6.根据权利要求1或2所述全背电极P型晶硅异质结太阳电池结构，其特征是，所述本征非晶硅薄膜层(6)的厚度为1nm～50nm。
7.根据权利要求1或2所述全背电极P型晶硅异质结太阳电池结构，其特征是，所述n型非晶硅薄膜层(7)厚度为2nm～20nm，方阻为10～100ohm/Sq。
8.根据权利要求1或2所述全背电极P型晶硅异质结太阳电池结构，其特征是，所述P++型硼重扩散晶硅层(3)的厚度为0.1μm～0.5μm，方块电阻为20～150ohm/Sq。
9.根据权利要求1或2所述全背电极P型晶硅异质结太阳电池结构，其特征是，硅片背面的TCO薄膜层(8)的厚度为50nm～500nm，所述背电极层(9)的厚度为10μm～100μm。
10.根据权利要求1或2所述全背电极P型晶硅异质结太阳电池结构，其特征是，所述开膜区(10)的宽度为1μm～50μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十八研究所，未经中国电子科技集团公司第四十八研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420484205.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
