[实用新型]一种半导体温差感应发电芯片有效
申请号: | 201420446171.2 | 申请日: | 2014-08-08 |
公开(公告)号: | CN204011484U | 公开(公告)日: | 2014-12-10 |
发明(设计)人: | 王林;顾伟;陈志明 | 申请(专利权)人: | 王林;顾伟;陈志明 |
主分类号: | H01L35/32 | 分类号: | H01L35/32;H01L35/34 |
代理公司: | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人: | 刘楠 |
地址: | 550000 贵*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种半导体温差感应发电芯片,本实用新型在将N型半导体元件和P型半导体元件按矩阵排列的方式排列在上陶瓷基片与下陶瓷基片之间时,在上陶瓷基片与下陶瓷基片上都分别制作出按矩阵排列的双元件卡固凹槽,在双元件卡固凹槽中设有金属导流片,同时在下陶瓷基片上还设有两个单元件卡固凹槽,在单元件卡固凹槽中设有金属电极,通过卡固凹槽和焊接的方式将N型半导体元件和P型半导体元件固定在上陶瓷基片与下陶瓷基片之间,同时在上陶瓷基片与下陶瓷基片之间还设有绝缘隔热垫片。本实用新型不仅具有结构简单、制作容易的优点,而且还具有热电转换效率较高、芯片工作稳定性好、质量可靠、制作成本较低等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 温差 感应 发电 芯片 | ||
【主权项】:
一种半导体温差感应发电芯片,包括作为温差感应发电元件的N型半导体元件(1)和P型半导体元件(2)、以及作为芯片基体用的上陶瓷基片(3)与下陶瓷基片(4),其特征在于:在上陶瓷基片(3)和下陶瓷基片(4)上设有按矩阵排列的双元件卡固凹槽(5),并且在下陶瓷基片(4)上最外侧对称两端分别设有一个单元件卡固凹槽(6),然后在每个双元件卡固凹槽的底部都固定有一个金属导流片(7),在两个单元件卡固凹槽(6)的底部分别固定有一个金属电极(8);每个N型半导体元件(1)和P型半导体元件(2)的一端都分别卡固在上陶瓷基片的双元件卡固凹槽(5)中、并且其端部焊接在金属导流片(7)上,除一个N型半导体元件和一个P型半导体元件外、其余每个N型半导体元件(1)和P型半导体元件(2)的另一端都分别卡固在下陶瓷基片(4)的双元件卡固凹槽(5)中、并且其端部焊接在金属导流片(7)上,剩余的一个N型半导体元件(1)和一个P型半导体元件(2)的另一端卡固在单元件卡固凹槽(6)内、并且其端部焊接在金属电极(8)上,即在每个双元件卡固凹槽(5)中的金属导流片(7)上都连接有一个N型半导体元件(1)和一个P型半导体元件(2),通过金属导流片(7)使所有的N型半导体元件(1)与P型半导体元件(2)分别首尾相连地串联在两个金属电极(8)之间,并且在上陶瓷基片(3)与下陶瓷基片(4)之间设有绝缘隔热垫片(9)。
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