[实用新型]高可靠性肖特基势垒整流器件有效
| 申请号： | 201420383961.0 | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN203983290U | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 徐吉程;毛振东;薛璐 | 申请（专利权）人： | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡;王健 |
| 地址： | 215126 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种高可靠性肖特基势垒整流器件，包括硅片，硅片下部与所述下金属层连接的第一导电类型重掺杂的单晶硅衬底，所述硅片上部与上金属层连接的第一导电类型轻掺杂的单晶硅外延层，位于所述单晶硅外延层上部并开口于所述单晶硅外延层上表面的沟槽，其特征在于：所述沟槽四壁均具有第一二氧化硅氧化层，一导电多晶硅体嵌入所述沟槽内，位于导电多晶硅体中下部的多晶硅中下部位于沟槽内且与单晶硅外延层之间设有所述第一二氧化硅氧化层，位于导电多晶硅体上部的多晶硅上部位于上金属层内，且多晶硅上部四周与上金属层之间设有第二二氧化硅氧化层。本实用新型器件改善了器件的可靠性，同时由于第二二氧化硅氧化层的存在，电势线密度将在沟槽的顶部降低，进一步降低了器件的漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 可靠性 肖特基势垒 整流 器件 | ||
【主权项】：
一种高可靠性肖特基势垒整流器件，该肖特基势垒整流器件的有源区由若干个肖特基势垒单胞（1）并联构成；在截面上，每个肖特基势垒单胞（1）包括硅片（2），位于所述硅片（2）背面的下金属层（3），位于所述硅片（2）正面的上金属层（4），所述硅片（2）下部与所述下金属层（3）连接的第一导电类型重掺杂的单晶硅衬底（5），所述硅片（2）上部与上金属层（4）连接的第一导电类型轻掺杂的单晶硅外延层（6），位于所述单晶硅外延层（6）上部并开口于所述单晶硅外延层（6）上表面的沟槽（7），其特征在于：所述沟槽（7）四壁均具有第一二氧化硅氧化层（8），一导电多晶硅体（9）嵌入所述沟槽（7）内，位于导电多晶硅体（9）中下部的多晶硅中下部（91）位于沟槽（7）内且与单晶硅外延层（6）之间设有所述第一二氧化硅氧化层（8），位于导电多晶硅体（9）上部的多晶硅上部（92）位于上金属层（4）内，且多晶硅上部（92）四周与上金属层（4）之间设有第二二氧化硅氧化层（10）。
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