[实用新型]一种四元发光二极管有效
| 申请号： | 201420308163.1 | 申请日： | 2014-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN203932092U | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 杜晓东 | 申请（专利权）人： | 北京太时芯光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/10 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 郑自群 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提出了一种四元发光二极管，自下而上依次包括衬底、缓冲层、布拉格反射器、下包覆层、发光层、上包覆层、局部掺杂突变区、外延窗口层、上电极和下电极，局部掺杂突变区位于上电极的正下方，在衬底上通过第一次外延生长依次形成缓冲层、布拉格反射器、下包覆层、发光层和上包覆层，通过第二次外延生长形成外延窗口层。本实用新型通过结构优化，不仅是在电极下方通过外延手段制作的局部掺杂突变区，减少载流子在电极正下方复合，同时结合氧化布拉格反射器外围区域，使发光二极管的出光效率得到了有效提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种四元发光二极管，其特征在于，自下而上依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、布拉格反射器(3)、下包覆层(4)、发光层(5)、上包覆层(6)、局部掺杂突变区(7)、外延窗口层(8)、上电极(9)和下电极(10)，所述局部掺杂突变区(7)位于所述上电极(9)的正下方，在所述衬底(1)上通过第一次外延生长依次形成所述缓冲层(2)、所述布拉格反射器(3)、所述下包覆层(4)、所述发光层(5)和所述上包覆层(6)，通过第二次外延生长形成所述外延窗口层(8)。
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