[实用新型]一种四元发光二极管有效
| 申请号： | 201420308163.1 | 申请日： | 2014-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN203932092U | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 杜晓东 | 申请（专利权）人： | 北京太时芯光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/10 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 郑自群 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
1.一种四元发光二极管，其特征在于，自下而上依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、布拉格反射器(3)、下包覆层(4)、发光层(5)、上包覆层(6)、局部掺杂突变区(7)、外延窗口层(8)、上电极(9)和下电极(10)，所述局部掺杂突变区(7)位于所述上电极(9)的正下方，在所述衬底(1)上通过第一次外延生长依次形成所述缓冲层(2)、所述布拉格反射器(3)、所述下包覆层(4)、所述发光层(5)和所述上包覆层(6)，通过第二次外延生长形成所述外延窗口层(8)。
2.根据权利要求1所述的一种四元发光二极管，其特征在于，所述布拉格反射器(3)的中心区域位于所述局部掺杂突变区(7)的正下方。
3.根据权利要求2所述的一种四元发光二极管，其特征在于，所述布拉格反射器(3)的中心区域的面积≥所述局部掺杂突变区(7)的面积。
4.根据权利要求1所述的一种四元发光二极管，其特征在于，所述布拉格反射器(3)的外围区域为布拉格反射器氧化区(11)。
5.根据权利要求4所述的一种四元发光二极管，其特征在于，所述布拉格反射器(3)包括高铝含量层和低铝含量层。
6.根据权利要求5所述的一种四元发光二极管，其特征在于，所述高铝含量层具体为高铝含量的AlGaAs层或高铝含量的AlGaInP层，铝含量范围为80％～100％，所述低铝含量层具体为低铝含量的AlGaAs层或低铝含量的AlGaInP层，铝含量范围为0％～80％。
7.根据权利要求6所述的一种四元发光二极管，其特征在于，所述布拉格反射器(3)由AlGaAs/AlGaAs、AlGaAs/AlGaInP、AlGaInP/AlGaInP或AlGaInP/AlGaAs的重复单元组成。
8.根据权利要求1～7任一项所述的一种四元发光二极管，其特征在于，所述衬底(1)和所述缓冲层(2)所用材料相同，所述材料具体为GaAs；所述局部掺杂突变区(7)由相同导电类型的半导体材料制成，所述半导体材料具体为P型半导体材料，所述P型半导体材料具体为GaP。
9.根据权利要求8所述的一种四元发光二极管，其特征在于，所述上电极(9)所用材料为Au/BeAu/Au，所述下电极(10)所用材料为GeAu/Au。
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