[实用新型]一种具叠层结构的非易失性存储装置有效
| 申请号： | 201420271430.2 | 申请日： | 2014-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN203870535U | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 李惊雷;黄鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡云动科技发展有限公司 |
| 主分类号： | G06F1/18 | 分类号： | G06F1/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种具叠层结构的非易失性存储装置，包括：通过高速接口活动对向插接以实现电性连接的第一印制电路板、第二印制电路板；第一印制电路板沿其纵长延伸方向的边缘设置DIMM插槽用以活动收容内存条，第二印制电路板反向于高速接口的一侧表面设置主控芯片、至少一个闪存扩展插座及至少一个电源接口，以及通过闪存扩展插头与闪存扩展插座活动电性连接的至少一个闪存扩展印制电路板，闪存扩展印制电路板至少设置一个闪存。本实用新型可实现对内存条或闪存进行自由地扩展升级，并形成叠层结构的非易失性存储装置，从而缩小了整个非易失性存储装置的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具叠层 结构 非易失性 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种具叠层结构的非易失性存储装置（100），其特征在于，包括：通过高速接口（102、203）活动对向插接以实现电性连接的第一印制电路板（10）、第二印制电路板（20）；其中，所述第一印制电路板（10）沿其纵长延伸方向的边缘设置DIMM插槽（301）用以活动收容内存条（30），所述第二印制电路板（20）反向于高速接口（203）的一侧表面设置主控芯片（205）、至少一个闪存扩展插座（204）及至少一个电源接口（202），以及通过闪存扩展插头（404）与闪存扩展插座（204）活动电性连接的至少一个闪存扩展印制电路板（40），所述闪存扩展印制电路板至少设置一个闪存（401）。
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