[实用新型]一种具叠层结构的非易失性存储装置

权利要求书

1.一种具叠层结构的非易失性存储装置（100），其特征在于，包括：通过高速接口（102、203）活动对向插接以实现电性连接的第一印制电路板（10）、第二印制电路板（20）；其中，

所述第一印制电路板（10）沿其纵长延伸方向的边缘设置DIMM插槽（301）用以活动收容内存条（30），

所述第二印制电路板（20）反向于高速接口（203）的一侧表面设置主控芯片（205）、至少一个闪存扩展插座（204）及至少一个电源接口（202），以及通过闪存扩展插头（404）与闪存扩展插座（204）活动电性连接的至少一个闪存扩展印制电路板（40），所述闪存扩展印制电路板至少设置一个闪存（401）。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，所述DIMM插槽（301）包括：R-DIMM插槽、U-DIMM插槽、SO-DIMM插槽。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，所述主控芯片（205）包括FPGA芯片、ASIC芯片。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，所述电源接口（202）及闪存扩展插座（204）对称设置在所述主控芯片（205）的两侧。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，所述第二印制电路板（20）沿其纵长延伸方向的边缘设置一个PCI-E插头（201）。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，所述第二印制电路板（20）所活动连接的闪存扩展印制电路板（40）中的闪存容量与内存条（30）容量之比为2:1~1:1。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储装置，其特征在于，所述第二印制电路板（20）所活动连接的闪存扩展印制电路板（40）中的闪存（401）容量与内存条（30）容量之比为1.2:1。