[实用新型]一种具叠层结构的非易失性存储装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及计算机存储技术领域，尤其涉及一种具叠层结构的非易失性存储装置。

背景技术

  由于非易失性存储装置（Non-volatile DIMM）具有在计算机异常掉电时，可将内存条中动态运行的数据备份至闪存；并可在计算机上电后，在主控芯片的控制下根据闪存中数据状态的标志位信息，引导闪存中的数据重新加载至内存条中，从而提高计算机系统中数据的一致性。因此这种存储装置在大型服务器、通讯基站等对数据安全性要求较高的场所具有广泛的应用，是今后计算机硬件技术发展的趋势之一。

  现有技术中的非易失性存储装置通常由易失性存储装置（例如DRAM颗粒所组成的内存条）、非易失性存储单元（例如NAND型或NOR型闪存）、支撑数据备份操作的备用电源（例如超级电容）、用于控制数据备份与恢复操作的主控芯片，以及用于探测计算机是否发生异常掉电及在掉电后为易失性存储装置及非易失性存储装置及主控芯片供电的电源检测控制模块。

  这些芯片或存储单元通常使用SMT（表面贴装技术）固定地与一块印制电路板电性连接。因此，现有技术中的这种非易失性存储装置的结构与尺寸往往比较大，同时也无法对固定贴装的闪存进行升级，导致这种非易失性存储装置的适应性较差。

有鉴于此，有必要对现有技术中的非易失性存储装置予以改进，以解决上述问题。

发明内容

本实用新型的目的在于公开一种具叠层结构的非易失性存储装置，以实现对内存条或闪存进行扩展升级，并缩小整个非易失性存储装置的尺寸。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种具叠层结构的非易失性存储装置，包括：通过高速接口活动对向插接以实现电性连接的第一印制电路板、第二印制电路板；其中，

所述第一印制电路板沿其纵长延伸方向的边缘设置DIMM插槽用以活动收容内存条，

所述第二印制电路板反向于高速接口的一侧表面设置主控芯片、至少一个闪存扩展插座及至少一个电源接口，以及通过闪存扩展插头与闪存扩展插座活动电性连接的至少一个闪存扩展印制电路板，所述闪存扩展印制电路板至少设置一个闪存。

作为本实用新型的进一步改进，所述DIMM插槽包括：R-DIMM插槽、U-DIMM插槽、SO-DIMM插槽。

作为本实用新型的进一步改进，所述主控芯片包括FPGA芯片、ASIC芯片。

作为本实用新型的进一步改进，所述电源接口及闪存扩展插座对称设置在所述主控芯片的两侧。

作为本实用新型的进一步改进，所述第二印制电路板沿其纵长延伸方向的边缘设置一个PCI-E插头。

作为本实用新型的进一步改进，所述第二印制电路板所活动连接的闪存扩展印制电路板中的闪存容量与内存条容量之比为2:1~1:1。

作为本实用新型的进一步改进，所述第二印制电路板所活动连接的闪存扩展印制电路板中的闪存容量与内存条容量之比为1.2:1。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：通过本实用新型，可实现对内存条或闪存进行自由地扩展升级，并通过将第一印制电路板及第二印制电路板通过高速接口活动对向插接，以形成叠层结构的非易失性存储装置，从而缩小了整个非易失性存储装置的尺寸。

附图说明

图1为本实用新型一种具叠层结构的非易失性存储装置的装配前的爆炸图；

图2为图1所示的具叠层结构的非易失性存储装置装配后的侧视图；

图3为图1中所示第二印制电路板一侧的正视图；

图4为图1中所示第二印制电路板的另一侧的正视图；

图5为图1中所示闪存扩展印制电路板一侧的正视图。

其中，说明书中具体实施方式中的附图说明标记如下：

第一印制电路板-10；第二印制电路板-20；内存条-30；闪存扩展印制电路板-40；闪存401；PCI-E插头201；电源接口-202；主控芯片-205；闪存扩展插座-204；DIMM插槽-301；高速接口-102、203；闪存扩展插头。

具体实施方式

下面结合附图所示的各实施方式对本实用新型进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本实用新型的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本实用新型的保护范围之内。

请参图1至图5所示的一种具叠层结构的非易失性存储装置的一种具体实施方式。