[实用新型]一种IGBT芯片有效
| 申请号： | 201420255361.6 | 申请日： | 2014-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN203850304U | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 吕新立;薛涛 | 申请（专利权）人： | 淄博美林电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所 37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255000 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种IGBT芯片，属于半导体器件制造领域。包括P型基片（2）、P型基片（2）上方的N型外延层（1）、N型漂移层（4）以及顶层的金属层（3），其特征在于：在IGBT芯片外侧纵向设置有向下延伸至P型基片（2）的绝缘沟槽，绝缘沟槽内填充有绝缘层。本实用新型的IGBT芯片的发射极、集电极、门极从同一平面引出，提高了产品的可靠性。降低了产品封装时的厚度，方便焊接。在IGBT芯片底部设置第二绝缘层可以使IGBT芯片底部绝缘，从而封装时可以直接焊到散热底板上，省去陶瓷覆铜板，提高散热效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 芯片 | ||
【主权项】：
一种IGBT芯片，包括P型基片（2）、P型基片（2）上方的N型外延层（1）、N型漂移层（4）以及顶层的金属层（3），其特征在于：在IGBT芯片外侧纵向设置有向下延伸至P型基片（2）的绝缘沟槽，绝缘沟槽内填充有绝缘层。
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