[实用新型]一种具有石墨烯导电膜与二氧化锡过渡层的碲化镉薄膜太阳电池有效

专利信息
申请号: 201420248544.5 申请日: 2014-05-15
公开(公告)号: CN203883019U 公开(公告)日: 2014-10-15
发明(设计)人: 罗云荣;李春龙;伍德亮;陈冬妮 申请(专利权)人: 湖南师范大学
主分类号: H01L31/0445 分类号: H01L31/0445;H01L31/0224;H01L31/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 410081 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 实用新型公开了一种具有石墨烯导电膜与二氧化锡过渡层的碲化镉薄膜太阳电池,其特征在于,所述太阳电池结构从上至下依次为:金属正面电极、本征石墨烯薄膜、透明高电阻本征二氧化锡过渡层、n型硫化镉薄膜、p型碲化镉薄膜、重掺杂p型石墨烯衬底、金属背面电极。本实用新型的优点是 透明高电阻本征二氧化锡过渡层在硫化镉薄膜较薄的条件下能有效弥补该层针状微孔形成的微小漏电通道,增加光电流和旁路电阻,有效保护p-n结,使太阳电池对太阳光短波部分的响应有所增加并且本征石墨烯薄膜具有高导电性,高透光率以及良好的光照热稳定性,使得制备的太阳电池性能稳定,光电转换效率高。
搜索关键词: 一种 具有 石墨 导电 氧化 过渡 碲化镉 薄膜 太阳电池
【主权项】:
一种具有石墨烯导电膜与二氧化锡过渡层的碲化镉薄膜太阳电池,其特征在于,所述太阳电池结构从上至下依次为:金属正面电极、本征石墨烯薄膜、透明高电阻本征二氧化锡过渡层、n型硫化镉薄膜、p型碲化镉薄膜、重掺杂p型石墨烯衬底、金属背面电极。
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