[实用新型]一种具有石墨烯导电膜与二氧化锡过渡层的碲化镉薄膜太阳电池有效
申请号: | 201420248544.5 | 申请日: | 2014-05-15 |
公开(公告)号: | CN203883019U | 公开(公告)日: | 2014-10-15 |
发明(设计)人: | 罗云荣;李春龙;伍德亮;陈冬妮 | 申请(专利权)人: | 湖南师范大学 |
主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/0224;H01L31/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410081 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种具有石墨烯导电膜与二氧化锡过渡层的碲化镉薄膜太阳电池,其特征在于,所述太阳电池结构从上至下依次为:金属正面电极、本征石墨烯薄膜、透明高电阻本征二氧化锡过渡层、n型硫化镉薄膜、p型碲化镉薄膜、重掺杂p型石墨烯衬底、金属背面电极。本实用新型的优点是 透明高电阻本征二氧化锡过渡层在硫化镉薄膜较薄的条件下能有效弥补该层针状微孔形成的微小漏电通道,增加光电流和旁路电阻,有效保护p-n结,使太阳电池对太阳光短波部分的响应有所增加并且本征石墨烯薄膜具有高导电性,高透光率以及良好的光照热稳定性,使得制备的太阳电池性能稳定,光电转换效率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 石墨 导电 氧化 过渡 碲化镉 薄膜 太阳电池 | ||
【主权项】:
一种具有石墨烯导电膜与二氧化锡过渡层的碲化镉薄膜太阳电池,其特征在于,所述太阳电池结构从上至下依次为:金属正面电极、本征石墨烯薄膜、透明高电阻本征二氧化锡过渡层、n型硫化镉薄膜、p型碲化镉薄膜、重掺杂p型石墨烯衬底、金属背面电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南师范大学,未经湖南师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420248544.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:抗PID光伏组件
- 下一篇:一种基于红外滤波的红外双色探测器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的