[实用新型]MEMS谐振器有效
申请号: | 201420148846.5 | 申请日: | 2014-03-28 |
公开(公告)号: | CN204216861U | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 何昭文 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H03H9/24 | 分类号: | H03H9/24 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供了一种MEMS谐振器,所述MEMS谐振器包括:锚部;围绕所述锚部,并且与所述锚部连接的质量块,所述质量块中开设有多个孔径;及围绕所述质量块,并且与所述质量块具有一定间隙的电极。在本实用新型提供的MEMS谐振器中,所述MEMS谐振器的频率可由质量块中开设的多个孔径予以改变。由此当需要不同频率的MEMS谐振器时,只需选取不同数量/大小的孔径即可,即通过改变MEMS谐振器的设计结构即可实现。相对于现有技术中,要得到不同频率的MEMS谐振器需要对MEMS谐振器的制造工艺做出改变而言,通过本实用新型的MEMS谐振器更加易于得到不同的频率。 | ||
搜索关键词: | mems 谐振器 | ||
【主权项】:
一种MEMS谐振器,其特征在于,包括:锚部;围绕所述锚部,并且与所述锚部连接的质量块,在所述质量块中与所述锚部连接的位置处开设有多个孔径,所述锚部、所述质量块以及所述孔径均为轴对称结构;及围绕所述质量块,并且与所述质量块具有一定间隙的电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420148846.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。