[实用新型]用于原子层薄膜沉积的反应装置有效
申请号: | 201420141763.3 | 申请日: | 2014-03-27 |
公开(公告)号: | CN203794984U | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
发明(设计)人: | 潘龙;刘东;彭文芳;常青 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陶金龙 |
地址: | 100016 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供一种用于原子层薄膜沉积的反应装置,属太阳能电池制造装配和加工技术领域,包括依次连接的反应沉积腔、反应排空腔和真空系统;所述反应沉积腔内包括硅片承载单元、加热单元、前驱物进料单元、吹扫气体进气单元;本实用新型通过将至少两种气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应,从而形成沉积膜。本实用新型有效弥补了现有反应装置中产能低、气态反应前驱物在硅片表面分布不均、硅片表面存在温度梯度及气态反应前驱物无法排空等缺陷,大幅提升原子层薄膜沉积装置的硅片产能和沉积速率并有效提高原子层薄膜的沉积质量。 | ||
搜索关键词: | 用于 原子 薄膜 沉积 反应 装置 | ||
【主权项】:
一种用于原子层薄膜沉积的反应装置,其特征在于,包括:反应沉积腔、反应排空腔和真空系统;所述的反应沉积腔设有菱形中空腔并与所述反应排空腔贯通,所述反应排空腔与所述真空系统连接,所述真空系统用于对所述反应排空腔进行抽气,进而使所述反应沉积腔处于真空状态;其中,所述反应沉积腔内包括硅片承载单元、加热单元、前驱物进料单元、吹扫气体进气单元;所述硅片承载单元设有若干个硅片承载位且所述硅片承载单元的底部设有若干通气孔,所述硅片承载单元上设有遮挡罩用于密封所述反应沉积腔;所述加热单元设在所述反应沉积腔的四个腔壁外侧,用于对所述反应沉积腔进行加热;所述前驱物进料单元用于对所述硅片承载单元上的硅片提供气态反应前驱物或对所述反应沉积腔内的气态反应前驱物进行吹扫;所述吹扫气体进气单元用于对所述反应沉积腔与所述硅片承载单元间隙中的气态反应前驱物进行吹扫。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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