[实用新型]一种电流可控的电容器浪涌测试电路有效
申请号: | 201420053204.7 | 申请日: | 2014-01-27 |
公开(公告)号: | CN203772982U | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 李俊;李亚飞;廖朝俊;蔡大俊;胡科正;张志光;蒋松成;江洪超;邓伟;李美霞 | 申请(专利权)人: | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 谷庆红 |
地址: | 550018 贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种电流可控的电容器浪涌测试电路,包括待测电容和提供动力源的外接电源,所述外接电源的电压为可调式,还包括外接信号发生器、N沟道MOS管和P沟道MOS管,所述N沟道MOS管和P沟道MOS管分别与所述待测电容两端及外接信号发生器相连接。本实用新型针对高电压、大容量、超低ESR钽电容,通过N沟道、P沟道MOS管配合信号发生器的使用,使本实用新型具有测试电压范围大、大电流充放电能力、浪涌电流可控、可短时间进行多次测量、成本低廉等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 电流 可控 电容器 浪涌 测试 电路 | ||
【主权项】:
一种电流可控的电容器浪涌测试电路,包括待测电容(C1)和提供动力源的外接电源(V1),所述外接电源(V1)的电压为可调式,其特征在于:还包括外接信号发生器(XFG1)、N沟道MOS管(1)和P沟道MOS管(2),所述N沟道MOS管(1)和P沟道MOS管(2)分别与所述待测电容(C1)两端及外接信号发生器(XFG1)相连接。
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