[实用新型]一种电流可控的电容器浪涌测试电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电容器技术领域，尤其涉及一种电流可控的电容器浪涌测试电路。

背景技术

随着钽电容器生产技术和钽粉应用技术的发展和进步，固体电解质钽电容器的容量、电压均有了很大提升，而有机电解质的应用使钽电容的ESR（等效串联电阻）显著地降低。对于高电压、大容量、超低ESR的钽电容器，以往的浪涌测试方法已不适用，主要原因为：

1.以往浪涌测试设备限制电流难以调节或完全没有电流限制。由电路原理可知，对于测试电压50V、直流ESR仅为50mΩ的钽电容器，可知其瞬间最大电流值高达1000A，如此巨大的电流足以对钽电容造成不可修复的损伤。

为电容器串联电阻可控制瞬间最大电流。同样以测试电压50V、直流ESR为50mΩ的钽电容器为例，此时仅需R=2.45Ω，即可将瞬间最大电流Imax限制为20A。而针对不同产品可能需要不同阻值的串联电阻R，传统浪涌设备难以方便地进行更换。

2.现代钽电容器生产要求对电容器进行大量次数的浪涌测试以保证可靠性，如KEMET的T490系列其浪涌电压测试为1000次，而传统浪涌测试难以在短时间内完成如此大量的测试次数。

实用新型内容

本实用新型主要是解决现有技术中所存在的技术问题，从而提供一种浪涌电流可控、可短时间进行多次测量、成本低廉的电流可控的电容器浪涌测试电路。

本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：

本实用新型的电流可控的电容器浪涌测试电路，包括待测电容和提供动力源的外接电源，所述外接电源的电压为可调式，还包括外接信号发生器、N沟道MOS管和P沟道MOS管,所述N沟道MOS管和P沟道MOS管分别与所述待测电容两端及外接信号发生器相连接。

进一步地，所述N沟道MOS管包括相互并联的第一至第四MOS管，所述第二、第三MOS管之间还设有第一拨动开关，所述第一拨动开关用于控制N沟道并联MOS管的数量。

进一步地，所述P沟道MOS管包括相互并联的第五至第八MOS管，所述第六、第七MOS管之间还设有第二拨动开关，所述第二拨动开关用于控制P沟道并联MOS管的数量。

进一步地，所述N沟道MOS管与所述外接信号发生器之间还设有第一耦合电容，所述P沟道MOS管与所述外接信号发生器之间还设有第二耦合电容，所述第一、第二耦合电容的大小为1μF且耐压大于200V。

进一步地，所述外接信号发生器输出为10Vpp的方波。

进一步地，所述N沟道MOS管和P沟道MOS管的耐压值均大于200V。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：针对高电压、大容量、超低ESR钽电容，通过N沟道、P沟道MOS管配合信号发生器的使用，使本实用新型具有测试电压范围大、大电流充放电能力、浪涌电流可控、可短时间进行多次测量、成本低廉等优点。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型的电流可控的电容器浪涌测试电路的原理框图；

图2是本实用新型的电流可控的电容器浪涌测试电路的电路图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。

参阅图1所示，本实用新型的电流可控的电容器浪涌测试电路，包括待测电容C1和提供动力源的外接电源V1，外接电源V1的电压为可调式，其还包括外接信号发生器XFG1、N沟道MOS管1和P沟道MOS管2，其中，N沟道MOS管1和P沟道MOS管2分别与待测电容C1两端及外接信号发生器XFG1相连接。优选地，外接信号发生器XFG1输出为10Vpp的方波。