[实用新型]一种电流可控的电容器浪涌测试电路有效
| 申请号： | 201420053204.7 | 申请日： | 2014-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN203772982U | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 李俊;李亚飞;廖朝俊;蔡大俊;胡科正;张志光;蒋松成;江洪超;邓伟;李美霞 | 申请（专利权）人： | 中国振华（集团）新云电子元器件有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谷庆红 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电流 可控 电容器 浪涌 测试 电路 | ||
1.一种电流可控的电容器浪涌测试电路，包括待测电容（C1）和提供动力源的外接电源（V1），所述外接电源（V1）的电压为可调式，其特征在于：还包括外接信号发生器（XFG1）、N沟道MOS管（1）和P沟道MOS管（2）,所述N沟道MOS管（1）和P沟道MOS管（2）分别与所述待测电容（C1）两端及外接信号发生器（XFG1）相连接。
2.根据权利要求1所述的电流可控的电容器浪涌测试电路，其特征在于：所述N沟道MOS管（1）包括相互并联的第一至第四MOS管（Q1-Q4），所述第二、第三MOS管（Q2、Q3）之间还设有第一拨动开关（J1），所述第一拨动开关（J1）用于控制N沟道并联MOS管的数量。
3.根据权利要求1所述的电流可控的电容器浪涌测试电路，其特征在于：所述P沟道MOS管（2）包括相互并联的第五至第八MOS管（Q5-Q8），所述第六、第七MOS管（Q6、Q7）之间还设有第二拨动开关（J2），所述第二拨动开关（J2）用于控制P沟道并联MOS管的数量。
4.根据权利要求2或3所述的电流可控的电容器浪涌测试电路，其特征在于：所述N沟道MOS管（1）与所述外接信号发生器（XFG1）之间还设有第一耦合电容（C1），所述P沟道MOS管（2）与所述外接信号发生器（XFG1）之间还设有第二耦合电容（C2），所述第一、第二耦合电容（C1、C2）的大小为1μF且耐压大于200V。
5.根据权利要求4所述的电流可控的电容器浪涌测试电路，其特征在于：所述外接信号发生器（XFG1）输出为10Vpp的方波。
6.根据权利要求5所述的电流可控的电容器浪涌测试电路，其特征在于：所述N沟道MOS管（1）和P沟道MOS管（2）的耐压值均大于200V。
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