[实用新型]提高压电极化强度的新型HEMT有效
| 申请号： | 201420008679.4 | 申请日： | 2014-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN203707139U | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 程知群;栾雅;连心想;贾民仕 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/43 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种提高压电极化强度的新型HEMT，本实用新型方法在含有AlN隔离层的AlGaN/AlN/GaN结构HEMT基础上，在GaN层下面插入了InGaN层，形成AlxGa1-xN/AlN/GaN/InyGa1-yN结构的HEMT。AlGaN、GaN之间，GaN、InGaN之间分别形成沟道，由于极化效应产生的2DEG在沟道中。插入了InGaN层，GaN/InGaN结构中GaN的晶格常数小于InN的晶格常数，使得GaN晶格应变，由应变产生的压电极化强于AlGaN/GaN之间的压电极化，使得器件在相同压力下极化效应更强，二维电子气面密度变化更大，使得提高了器件的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 压电 极化 强度 新型 hemt | ||
【主权项】：
提高压电极化强度的新型HEMT，包括衬底、GaN缓冲层、In0.2Ga0.8N层、GaN层、隔离层AlN、Al0.3Ga0.7N层和GaN帽层；其特征在于：所述的衬底上外延生长出缓冲层GaN；在GaN缓冲层上生长In0.2Ga0.8N层；接着在In0.2Ga0.8N层上面外延生长GaN沟道层；之后在沟道层GaN上外延生长隔离层AlN，主要是提高AlGaN/GaN结的势垒导带差；接着在隔离层AlN上外延生长非掺杂Al0.3Ga0.7N势垒层；在势垒层上生长非掺杂GaN帽层；最后在帽层上设置晶体管的栅极、源极和漏极。
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