[发明专利]制造腔向下制作载体的系统和方法在审
| 申请号： | 201410858126.2 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104701190A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 张家骅 | 申请（专利权）人： | 毅宝力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明涉及制造腔向下制作载体的系统和方法。一种制作具有顶表面和底表面的容腔向下的BGA载体的方法，该方法包括组合导电部分和模制的介电部分，所述介电部分具有相交于所述顶表面的内表面，所述内表面形成用于接收管芯的腔；选择性刻蚀所述导电部分的一部分；以及施加抗焊剂至所述导电部分的顶表面的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 向下 制作 载体 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种制作容腔向下的BGA载体的方法，该载体具有顶表面和底表面，该方法包括：组合导电部分和模制的介电部分，所述介电部分具有相交于所述顶表面的内表面，所述内表面形成用于接收管芯的腔；选择性蚀刻所述导电部分的一部分；以及施加抗焊剂至所述导电部分的顶表面的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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