[发明专利]一种发光强度高的GaN基LED外延生长方法在审
| 申请号： | 201410857999.1 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104638072A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 芦玲;陈明;祝光辉 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 223001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光强度高的GaN基LED外延生长方法，在生长浓度稳定的掺Si氮化镓层之后生长的第一掺Si的AlGaN层与非掺杂GaN层以及第二掺Si氮化镓层，会在非掺杂GaN内形成二维电子气，从而有效增加载流子浓度和迁移率，并且二维电子气结构能有效增强载流子的横向扩展能力，能扩展流入多量子阱层的电流分布面积，有效提高发光均匀性，从而提升LED整体发光强度。通过此方法使得LED芯片的亮度提高5％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光强度 gan led 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种发光强度高的GaN基LED外延生长方法，其特征在于包括如下步骤：(1)将衬底在1000～1100℃通过NH3氮化；(2)生长低温缓冲层；(3)生长未掺杂氮化镓层；(4)生长浓度稳定的掺Si氮化镓层；(5)生长第一掺Si的AlGaN层；(6)生长一层非掺杂氮化镓层；(7)生长第二掺Si的AlGaN层；(8)生长高温浅阱多量子阱层；(9)生长低温多量子阱层；(10)升温到700～800℃生长低温p型氮化镓层(11)升温到700～800℃生长p型AlGaN电子阻挡层；(12)升温到900～1000℃生长p型氮化镓；(13)生长p型接触层；(14)降温退火整个外延层，再降至室温。
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