[发明专利]一种发光强度高的GaN基LED外延生长方法在审
| 申请号： | 201410857999.1 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104638072A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 芦玲;陈明;祝光辉 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 223001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光强度 gan led 外延 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光强度高的GaN基LED外延生长方法，其特征在于包括如下步骤：
(1)将衬底在1000～1100℃通过NH3氮化；
(2)生长低温缓冲层；
(3)生长未掺杂氮化镓层；
(4)生长浓度稳定的掺Si氮化镓层；
(5)生长第一掺Si的AlGaN层；
(6)生长一层非掺杂氮化镓层；
(7)生长第二掺Si的AlGaN层；
(8)生长高温浅阱多量子阱层；
(9)生长低温多量子阱层；
(10)升温到700～800℃生长低温p型氮化镓层
(11)升温到700～800℃生长p型AlGaN电子阻挡层；
(12)升温到900～1000℃生长p型氮化镓；
(13)生长p型接触层；
(14)降温退火整个外延层，再降至室温。
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