[发明专利]一种碳纳米管神经元器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201410856215.3 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN105810750B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/41;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳纳米管神经元器件及其制作方法。所述碳纳米管神经元器件包括：衬底；在衬底上形成的绝缘层；碳纳米管，形成于绝缘层上方，其中碳纳米管包括位于两端的源区、漏区和位于源区和漏区之间的沟道区，源区和漏区掺杂成相同的导电类型；包围沟道区的叠层结构，其中叠层结构从内至外依次包括第一电介质层、导电层以及第二电介质层；源极和漏极，位于绝缘层上，分别包围碳纳米管的源区和漏区；两个以上栅极，位于绝缘层上，各个栅极之间相互间隔，分别包围沟道区外侧的叠层结构；其中碳纳米管通过源极、漏极或栅极支撑而位于绝缘层上方。本发明增强了栅极对沟道的控制能力，避免了短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 神经 元器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管神经元器件，其特征在于，包括：衬底；在所述衬底上形成的绝缘层；碳纳米管，形成于所述绝缘层上方，其中，所述碳纳米管包括位于两端的源区、漏区和位于所述源区和所述漏区之间的沟道区，所述源区和所述漏区掺杂成相同的导电类型；包围所述沟道区的叠层结构，其中，所述叠层结构从内至外依次包括第一电介质层、导电层以及第二电介质层；源极和漏极，位于所述绝缘层上，分别包围所述碳纳米管的源区和漏区；两个以上栅极，位于所述绝缘层上，各个栅极之间相互间隔，分别包围所述沟道区外侧的叠层结构；其中，所述碳纳米管通过所述源极、漏极或栅极支撑而位于所述绝缘层上方。
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