[发明专利]一种薄膜晶体管、陈列基板及显示装置在审
| 申请号： | 201410853562.0 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104576755A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 唐岳军 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L29/417;H01L27/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种薄膜晶体管，包括栅极、第一及第二源极、第一及第二漏极、第一及第二半导体层、及第一及第二绝缘层，栅极包括相对设置的第一及第二表面，第一绝缘层形成于第一表面上，并覆盖第一表面，第一半导体层形成于第一绝缘层上，第一漏极及第一源极间隔地形成在第一半导体层上，第二绝缘层形成于第二表面上，并覆盖第二表面，第二半导体层形成于所述第二绝缘层上，第二漏极及第二源极间隔地形成在第二半导体层上。本发明提高了应用薄膜晶体管的显示装置的开口率。本发明还提供了阵列基板及显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 陈列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括栅极、第一源极、第二源极、第一漏极、第二漏极、第一半导体层、第二半导体层、第一绝缘层及第二绝缘层，所述栅极包括相对设置的第一表面及第二表面，所述第一绝缘层形成于所述第一表面上，并覆盖所述第一表面，所述第一半导体层形成于所述第一绝缘层上，所述第一漏极及所述第一源极间隔地形成在所述第一半导体层上，所述第二绝缘层形成于所述第二表面上，并覆盖所述第二表面，所述第二半导体层形成于所述第二绝缘层上，所述第二漏极及所述第二源极间隔地形成在所述第二半导体层上。
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