[发明专利]一种薄膜晶体管、陈列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及电子领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、陈列基板及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管是现代微电子技术中的一种关键性电子元件，目前已经被广泛的应用于平板显示器等领域。随着液晶显示技术的进步，液晶显示器的面板的图像采集率也不断提升。同时，对液晶显示器的面板的开口率也提出了更高的要求。其中，所谓的开口率即为除去每一个次像素的配线部、晶体管部(通常采用黑色矩阵隐藏)后的光线通过部分的面积和每一个次像素整体的面积之间的比例。但是，随着液晶显示器的面板的图像采集率的不断提升，液晶显示器的面板具有更多的薄膜晶体管，因此影响了液晶显示器面板的开口率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，以提高显示装置的开口率。

为了实现上述目的，本发明实施方式提供如下技术方案：

本发明供了一种薄膜晶体管，包括栅极、第一源极、第二源极、第一漏极、第二漏极、第一半导体层、第二半导体层、第一绝缘层及第二绝缘层，所述栅极包括相对设置的第一表面及第二表面，所述第一绝缘层形成于所述第一表面上，并覆盖所述第一表面，所述第一半导体层形成于所述第一绝缘层上，所述第一漏极及所述第一源极间隔地形成在所述第一半导体层上，所述第二绝缘层形成于所述第二表面上，并覆盖所述第二表面，所述第二半导体层形成于所述第二绝缘层上，所述第二漏极及所述第二源极间隔地形成在所述第二半导体层上。

其中，所述第一源极对应所述第二源极，所述第一漏极对应所述第二漏极。

其中，所述第一及第二绝缘层的材料为氮化硅、氧化硅、苯并环丁烯、聚酯或丙烯酸树脂。

其中，所述栅极、所述第一及第二源极及所述第一及第二漏极的材料为金属、合金、导电聚合物或导电性碳纳米管。

本发明还提供了一种阵列基板，包括具有第一表面的基板、形成于所述基板的第一表面上的第一数据线、第二数据线、栅线、第一电极、第二电极及上述的薄膜晶体管，其中，所述栅线连接至所述栅极，所述第一数据线及所述第一电极分别连接至所述第一源极及所述第一漏极，所述第二数据线及所述第二电极分别连接至所述第二源极及所述第二漏极。

其中，所述第一电极及所述第二电极为条状电极，且位于同一层。

其中，所述第一电极为块状电极，所述第二电极为条状电极，所述第一电极距离所述基板的距离小于所述第二电极距离所述基板的距离，所述第一电极与所述第二电极位于不同层。

其中，所述阵列基板包括位于同层的主像素区及副像素区域，所述第一电极位于所述第一像素区域内，所述第二电极位于所述第二像素区域内。

其中，所述第一电极为条状电极，所述第二电极为块状电极。

本发明还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。

本发明所述薄膜晶体管包括栅极、第一源极、第二源极、第一漏极、第二漏极、第一半导体层、第二半导体层、第一绝缘层及第二绝缘层。所述栅极包括相对设置的第一表面及第二表面。所述第一绝缘层形成于所述第一表面上，并覆盖所述第一表面。所述第一半导体层形成于所述第一绝缘层上。所述第一漏极及所述第一源极间隔地形成在所述第一半导体层上。所述第二绝缘层形成于所述第二表面上，并覆盖所述第二表面。所述第二半导体层形成于所述第二绝缘层上。所述第二漏极及所述第二源极间隔地形成在所述第二半导体层上。因此，所述薄膜晶体管的第一及第二源极及第一及第二漏极共用所述栅极。通过控制所述栅极来同时控制所述第一源极与所述第一漏极的通断，及所述第二源极与所述第二漏极的通断。即所述薄膜晶体管可以相当于两个独立的薄膜晶体管来应用。因此，当本发明薄膜晶体管应用于显示装置的阵列基板上时，减少了薄膜晶体管的使用数量，即减少了阻挡光线传输的薄膜晶体管的数量。因此，本发明提高了显示装置的开口率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以如这些附图获得其他的附图。

图1是本发明第一方案较佳实施方式提供的薄膜晶体管的部分剖面图；

图2是本发明第二方案第一较佳实施方式提供的阵列基板的示意图；

图3是本发明第二方案第二较佳实施方式提供的阵列基板的示意图；

图4是本发明第二方案第三较佳实施方式提供的阵列基板的示意图；

图5是本发明第三方案较佳实施方式提供的显示装置的示意图。