[发明专利]pn结及其制备方法有效
| 申请号： | 201410852975.7 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104576713B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 梁凌燕;李秀霞;曹鸿涛;罗浩;刘权;秦瑞锋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/24;H01L21/04;H01L21/363 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 李芙蓉 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种pn结及其制备方法，该pn结包括n型Si半导体层和位于所述n型Si半导体层中部区域的p型SnO半导体层，其中，所述n型Si半导体层上设置有第一电极；所述p型SnO半导体层上设置有第二电极。本发明的pn结有明显的整流效应，可应用于发光二极管、太阳能电池、光电探测器、气敏传感器等半导体器件，扩大了氧化亚锡的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | pn 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种pn结，其特征在于，包括n型Si半导体层，所述n型Si半导体层上设置有第一电极；以及位于所述n型Si半导体层中部区域且与所述n型Si半导体层叠加设置的p型SnO半导体层，所述p型SnO半导体层上设置有第二电极，所述p型SnO半导体层的厚度为50nm～80nm；所述p型SnO半导体层的横截面为圆形；所述第一电极的横截面为圆环形，所述圆环形的第一电极将所述p型SnO半导体层围设在其内圆环中；所述第二电极的横截面为圆形，且所述第二电极的横截面面积小于所述p型SnO半导体层的横截面面积；所述第一电极和所述第二电极的厚度均为40nm～100nm。
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