[发明专利]低温多晶硅(LTPS)产品结构及制造方法

摘要

本发明公开了一种低温多晶硅(LTPS)产品结构及制造方法，结构包括基材、位于所述基材上的N型金属氧化半导体(NMOS)和P型金属氧化半导体(PMOS)、第一金属层，位于所述NMOS与所述PMOS的一栅极绝缘层上，所述第一金属层用于形成一栅极、以及用于形成至少一第一走线；一第二金属层，用于形成所述NMOS与所述PMOS的漏极和源极以及至少一第二走线；一层间绝缘层，位于所述第一金属层以及所述栅极绝缘层上；至少一挖槽，用以曝露所述第一走线的一端点，避免走线间的干扰，以提升产品的品质。

主权项

一种低温多晶硅(LTPS)产品结构，包括:一基材；至少一N型金属氧化半导体(NMOS)位于所述基材上；至少一P型金属氧化半导体(PMOS)位于所述基材上；一第一金属层，位于所述NMOS与所述PMOS的一栅极绝缘层上，所述第一金属层用于形成一栅极、以及用于形成至少一第一走线；一第二金属层，用于形成所述NMOS与所述PMOS的漏极和源极以及至少一第二走线；一层间绝缘层，位于所述第一金属层以及所述栅极绝缘层上；一平坦层位于所述NMOS以及所述PMOS上方；一第一透明导电层位于所述平坦层上方并覆盖所述平坦层至少一部分；一保护层位于所述平坦层和所述第一透明导电层上方；一第二透明导电层位于所述保护层上方，所述第二透明导电层经由穿过所述保护层以及所述平坦层的通孔与所述NMOS的漏极和源极相连结；至少一挖槽，所述挖槽穿过所述平坦层和所述层间绝缘层，以及所述挖槽穿过所述第一透明导电层、所述保护层、以及所述第二透明导电层中至少之一层以曝露所述第一走线的一端点；其中所述第一走线的所述端点包括一第一垫，所述第一垫是与一电路单元测试管脚电性相连，所述挖槽是曝露出所述第一垫；所述第一走线的所述端点包括一第一垫，所述第一垫是与一集成电路芯片电性相连，所述挖槽是曝露出所述第一垫；以及所述第一走线的所述端点包括一第一垫，所述第一垫是与一软性电路板电性相连，所述挖槽是曝露出所述第一垫。