[发明专利]GaAs基发光二极管芯片上GaP粗糙表面的制备方法有效
| 申请号： | 201410850697.1 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104600168A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 李晓明;陈康;申加兵;盖克彬;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;C23F1/30 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种GaAs基发光二极管芯片上GaP粗糙表面的制备方法，包括步骤如下：（1）在GaAs基外延片的GaP窗口层表面蒸镀一层Au膜作为p型电极，在GaP窗口层上保留电极图形；（2）在步骤（1）保留的电极图形保护下制备p型金属电极和粗糙的GaP出光面；首先配置对Au和GaP均能造成腐蚀作用的腐蚀液，将步骤（1）制备的GaAs基外延片放入所述腐蚀液进行腐蚀，得到p型金属电极和粗糙的GaP出光面。本发明通过配置对Au、GaP均能造成腐蚀作用的腐蚀液，制备p型金属电极和粗糙的GaP出光面，可彻底的去除不需要的金属，并保证粗糙表面的角度，取消了需要单独进行表面粗糙的工艺，简化了工艺流程，缩短了生产周期，提高了出光效率，稳定了芯片品质。 | ||
| 搜索关键词： | gaas 发光二极管 芯片 gap 粗糙 表面 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaAs基发光二极管芯片上GaP粗糙表面的制备方法，其特征是，包括步骤如下：(1)在GaAs基外延片的GaP窗口层表面蒸镀一层Au膜作为p型电极，在GaP窗口层上保留电极图形；首先在GaAs基外延片的上表面蒸镀一层Au膜作为p型电极；再在所述Au膜上涂上正性光刻胶，然后进行光刻，在GaP窗口层上保留正性光刻胶的电极图形；(2)在步骤(1)保留的电极图形保护下制备p型金属电极和粗糙的GaP出光面；首先配置对Au和GaP均能造成腐蚀作用的腐蚀液，将步骤(1)制备的GaAs基外延片放入所述腐蚀液进行腐蚀，腐蚀掉未被正性光刻胶保护的Au膜并对GaP窗口层粗糙化处理，腐蚀完成后再去除正性光刻胶，得到p型金属电极和粗糙的GaP出光面。
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