[发明专利]一种半导体器件的制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201410843455.X | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105789036B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 詹奕鹏;董洁琼;金华俊;周儒领;郭世璧;金凤吉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L27/11521;H01L29/423;H01L29/788 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：步骤S101：提供包括逻辑器件区和存储单元区的半导体衬底，在逻辑器件区形成逻辑器件的栅极和栅极硬掩膜，并在存储单元区形成存储器件的浮栅和栅间介电层；步骤S102：形成位于栅极两侧的栅极侧壁层和位于浮栅两侧的浮栅侧壁层；步骤S103：形成覆盖半导体衬底的导电材料层，对导电材料层进行刻蚀以形成位于逻辑器件区的导电互连件以及位于存储单元区且位于栅间介电层上方的控制栅。该方法通过在形成栅极硬掩膜的工艺中形成栅间介电层及在形成导电互连件的工艺中形成控制栅，有利于简化工艺和降低成本。该电子装置包括上述半导体器件，同样具有上述优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供包括逻辑器件区和存储单元区的半导体衬底，在所述逻辑器件区形成逻辑器件的栅极和栅极硬掩膜，并在所述存储单元区形成存储器件的浮栅和栅间介电层；步骤S102：形成位于所述栅极两侧的栅极侧壁层和位于所述浮栅两侧的浮栅侧壁层；步骤S103：形成覆盖所述半导体衬底的导电材料层，对所述导电材料层进行刻蚀以形成位于所述逻辑器件区的导电互连件以及位于所述存储单元区且位于所述栅间介电层上方的控制栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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