[发明专利]一种侧向互连的堆叠封装结构的制备方法在审
| 申请号： | 201410838535.6 | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN104505351A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 李君;曹立强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种侧向互连的堆叠封装结构的制备方法，该结构包括上层封装体与下层封装体，该方法包括：制作底部具有多个层问焊球的上层封装体；制作具有再分布层和侧向互连结构的下层封装体，其中，再分布层形成于该下层封装体的下层塑封的顶部，侧向互连结构形成于该下层封装体的下层塑封的四周；将上层封装体与下层封装体对准焊接，使多个层问焊球、再分布层与侧向互连结构构成互连通道，进而形成侧向互连的堆叠封装结构。本发明利用侧向互连和塑封顶部的再分布层，提高了上封装体与下封装体之间互连通道的数量。本发明还将侧向互连结构与穿透模塑过孔技术结合，进一步提高了上封装体与下封装体之间互连通道的数量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 侧向 互连 堆叠 封装 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种侧向互连的堆叠封装结构的制备方法，该堆叠封装结构包括上层封装体与下层封装体，其特征在于，该方法包括：制作底部具有多个层间焊球的上层封装体；制作具有再分布层和侧向互连结构的下层封装体，其中，再分布层形成于该下层封装体的下层塑封的顶部，侧向互连结构形成于该下层封装体的下层塑封的四周；将上层封装体与下层封装体对准焊接，使多个层间焊球、再分布层与侧向互连结构构成互连通道，进而形成侧向互连的堆叠封装结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，未经中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410838535.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
