[发明专利]屏蔽装置及具有该屏蔽装置的等离子体处理装置有效

专利信息
申请号: 201410838070.4 申请日: 2014-12-24
公开(公告)号: CN105789012B 公开(公告)日: 2018-05-01
发明(设计)人: 刘骁兵 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01J37/02;H05K9/00
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 代理人: 林彦之,张磊
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种选择性地阻止至少部分带电粒子通过的屏蔽装置,包括屏蔽板,其包括实体部以及多个竖直的贯通孔;磁场产生元件,嵌设于所述实体部内,用以在每一所述贯通孔中形成与该贯通孔方向垂直的磁场,以使所述等离子体的至少部分带电粒子在所述磁场中受洛伦兹力发生偏转而与所述贯通孔的侧壁碰撞。本发明还提供了一种具有上述屏蔽装置的等离子体处理装置。本发明能够减小高能离子到达基片表面对其造成损伤。
搜索关键词: 屏蔽 装置 具有 等离子体 处理
【主权项】:
一种屏蔽装置,应用于等离子体处理装置,用于从等离子体中选择性地阻止至少部分带电粒子通过,所述等离子体处理装置包括反应腔室,所述反应腔室容纳用于夹持待处理基片的基座,其特征在于,所述屏蔽装置包括:屏蔽板,设置于所述反应腔室内所述基座的上方,其包括一个实体部以及形成于所述实体部中的多个竖直的贯通孔;磁场产生元件,嵌设于所述实体部内,用以在每一所述贯通孔中形成与该贯通孔方向垂直的磁场,以使所述等离子体的至少部分带电粒子在所述磁场中受水平方向的洛伦兹力发生偏转而与所述贯通孔的侧壁碰撞;其中所述磁场产生元件为多个水平嵌设于所述实体部内的直螺线管,每一所述直螺线管上其中一个动点旋转一周所形成的空间内容纳一个所述贯通孔,每一所述直螺线管中通入电流以形成所述磁场。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)有限公司,未经中微半导体设备(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410838070.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top