[发明专利]一种薄膜太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明所述的一种薄膜太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：S1、在GaAs衬底的上表面依次形成牺牲层、GaAs层和第一电极层；S2、在第一电极层远离GaAs层的表面上形成掩膜层；S3、通过刻蚀工艺对第一电极层和GaAs层进行图案化；S4、除去掩膜层，在第一电极层远离GaAs层的表面上形成支撑层；S5、除去牺牲层。以外延片剥离技术为基础，先对GaAs层进行图案化，将图案化后的GaAs层负载至支撑层上之后再进行GaAs层的剥离。以第一金属层与牺牲层为依托，增加了刻蚀过程中GaAs层的强度，不但有效避免了GaAs层在图案化过程中的损伤，提高了产品良率，降低了生产成本；而且，可以将GaAs层刻蚀为各种形状，扩大了所述薄膜太阳能电池的产品设计范围和应用范围。

主权项

一种薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在GaAs衬底的上表面依次形成牺牲层、GaAs层和第一电极层；S2、在第一电极层远离GaAs层的表面上形成掩膜层；S3、通过刻蚀工艺对GaAs层和第一电极层进行图案化；S4、除去掩膜层，在第一电极层远离GaAs层的表面上形成支撑层；S5、除去牺牲层。