[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201410830699.4 | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN105789319B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 赵加湘 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种薄膜晶体管及其制备方法，在有源层上形成栅极绝缘层，且栅极绝缘层暴露出有源层的两端，用于形成源/漏极，接着，在栅极绝缘层上形成金属栅极，且金属栅极暴露出栅极绝缘层的两端，借助金属栅极和栅极绝缘层的遮挡作用，在栅极绝缘层暴露出的两端下方的有源层内形成LDD区，通过一次工艺即可同时形成源/漏极和LDD区，减少工艺步骤，降低生产成本。此外，在形成金属栅极的同时，还在有源层两端及缓冲层表面形成金属源漏连线，金属源漏连线与后续形成的源/漏极分别相连，在后续刻蚀形成第一通孔时，刻蚀暴露出的是金属源漏连线，而非常规的源/漏极，可防止对源/漏极进行刻蚀的过程中造成的电性能恶化，能够确保薄膜晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，在所述衬底上依次形成缓冲层及有源层；在所述有源层上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层暴露出所述有源层的两端，所述有源层暴露出的两端用于形成源/漏极；在所述栅极绝缘层上形成金属栅极，所述金属栅极暴露出所述栅极绝缘层的两端，所述栅极绝缘层暴露出的两端下方的有源层内用于形成LDD区；进行离子注入，在所述有源层暴露出的两端形成源/漏极，在所述栅极绝缘层暴露出的两端下方的有源层内形成LDD区。
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