[发明专利]鳍结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410829814.6 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105789268B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;罗军;赵超;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;吴兰柱 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种鳍结构的制造方法，包括步骤：提供硅衬底；在硅衬底的表面上形成孔；在硅衬底上形成外延的鳍，该鳍包括III族或V族的半导体材料层。本发明中的孔使得硅衬底表面的部分晶格发生变形，在其上形成不同族的外延的鳍后，可以吸收部分由于晶格不匹配造成的应力，释放硅与外延层间的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供硅衬底；在硅衬底的表面上形成孔；在硅衬底上形成外延的鳍，该鳍包括III族或V族的半导体材料层；在鳍的侧壁上形成侧墙的保护层，进行氧化工艺，以在衬底表面和鳍的顶面上形成氧化层；去除保护层以及鳍顶面的氧化层，以形成鳍结构。
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