[发明专利]一种MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201410829452.0 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN104561918A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 黄冠麟;崔书山;林木;黎雨;万见峰 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;C22C22/00 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜的制备方法。本发明的MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜的制备方法，包括以下步骤：a.将MnFeCu三元合金作为靶材安装在磁控溅射设备的靶位上；b.将衬底置于真空室样品台上，抽真空至真空度为1.0×10-4Pa-5.0×10-4Pa，使衬底的温度为室温～700K，在溅射功率为60W～140W，靶材与衬底的间距为40mm-80mm的条件下溅射沉积MnFeCu薄膜，溅射完成后，在高真空下冷却至室温，即可制得MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜。与现有技术相比，本发明的MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜的制备方法简单，原材料成本低，使得MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜的生产成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mnfecu 三元 反铁磁 形状 记忆 合金 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a.将MnFeCu三元合金作为靶材安装在磁控溅射设备的靶位上；b.将衬底置于真空室样品台上，抽真空至真空度为1.0×10‑4Pa‑5.0×10‑4Pa，使衬底的温度为室温～700K，在溅射功率为60W～140W，靶材与衬底的间距为40mm‑80mm的条件下溅射沉积MnFeCu薄膜，溅射完成后，在高真空下冷却至室温，即可制得MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜。
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