[发明专利]半导体器件和方法有效
| 申请号： | 201410829282.6 | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN105789302B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 谢明达;大藤彻;蔡庆威;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/482;H01L21/336;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了垂直全环栅(VGAA)。在实施例中，VGAA具有纳米线与第一接触焊盘和第二接触焊盘。使用栅电极来帮助限定纳米线内的沟道区。在其他实施例中使用了多个纳米线、多个底部接触件、多个顶部接触件、以及多个栅极接触件。本发明还提供了半导体器件和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一纳米线，位于衬底上方并且与所述衬底连接，所述第一纳米线与所述衬底相垂直并且包括第一源极/漏极区、所述第一源极/漏极区上方的沟道区、以及所述沟道区上方的第二源极/漏极区；第一接触焊盘，至少部分地围绕所述第一源极/漏极区；栅电极，至少部分地围绕所述沟道区；第二接触焊盘，与所述第二源极/漏极区电连接；以及多个栅极接触件，与所述栅电极电连接，并且通过所述栅电极彼此电连接。
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