[发明专利]薄膜晶体管阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201410815087.8 | 申请日： | 2014-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN104733383B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 金镇成;梁圭亨;李铉奎 | 申请（专利权）人： | 东友精细化工有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 韩国全*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了一种薄膜晶体管阵列的制备方法。具体地，公开了一种蚀刻剂组合物，其包括：5至25重量％的过氧化氢；0.05至1重量％的含氟化合物；0.5至3重量％的芳香族有机酸或其盐或酯；和余量的水，从而选择地蚀刻钼系金属膜或金属氧化物膜；和一种使用所述蚀刻剂组合物的薄膜晶体管阵列的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管阵列的制备方法，其包括：(a)在基板上形成栅电极；(b)在其上已形成所述栅电极的所述基板上形成栅绝缘层；(c)在所述栅绝缘层上形成半导体层；(d)在所述半导体层上形成源极导线/漏极导线；和(e)形成连接至所述漏极导线的像素电极，其中步骤(e)包括将由钼系金属膜或金属氧化物膜形成的层使用蚀刻剂组合物来蚀刻，所述蚀刻剂组合物包括：5至25重量％的过氧化氢；0.05至1重量％的含氟化合物；0.5至3重量％的芳香族有机酸的盐或酯；和余量的水，其中所述芳香族有机酸的盐或酯包括选自由苯甲酸铵、苯甲酸钠、苯甲酸钾、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、和苯甲酸苄酯组成的组的至少一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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