[发明专利]微机电系统元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410792537.6 | 申请日： | 2014-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN105776123A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 李岳刚;陈立业;蓝苡侨 | 申请（专利权）人： | 力智电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种微机电系统元件及其制造方法，其步骤如下。在微机电系统结构上形成顶盖层。微机电系统结构中具有多数个牺牲结构。顶盖层具有多数个释放孔。释放孔位于牺牲结构上。在顶盖层上形成介电层，其中介电层填入释放孔中。对介电层进行平坦化工艺。然后，移除牺牲结构，以在微机电系统结构中形成至少一空腔。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 系统 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种微机电系统元件的制造方法，其特征在于，包括：形成微机电系统结构在衬底上，所述微机电系统结构具有至少一空腔；形成第一介电层，覆盖在所述微机电系统结构上，并填入在所述至少一空腔中；形成顶盖层在所述第一介电层上，所述顶盖层具有多数个释放孔，其中所述释放孔位于所述微机电系统结构上；形成第二介电层在所述顶盖层上，所述第二介电层填入在所述释放孔中；对所述第二介电层进行平坦化工艺，以形成平坦化的第二介电层，其中所述第一介电层仍在所述微机电系统结构上以及所述至少一空腔中；以及进行释放工艺，以移除所述释放孔上方的所述平坦化的第二介电层以及下方的所述第一介电层。
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