[发明专利]晶片位置偏差的检测和调整方法以及半导体加工设备

摘要

本发明提供一种晶片位置偏差的检测和调整方法以及半导体加工设备，其包括以下步骤：S1，在托盘上表面与安放槽的边界处定义观察区域；S2，采集托盘在该观察区域内的实时图像，并基于晶片和托盘的光反射率差异对实时图像进行灰度处理，以获得计算中心偏差所需的位置信息；S3，基于该位置信息进行计算，以获得所述中心偏差。本发明提供一种晶片位置偏差的检测和调整方法，其可以在机械手进行取放片操作时，检测晶片位置偏差，从而可以根据该晶片位置偏差及时地对托盘的旋转角度和/或机械手的位移量进行调整，以确保晶片准确到位，进而可以提高工艺良率。

主权项

1.一种晶片位置偏差的检测方法，所述晶片位置偏差是指在利用机械手将晶片置于托盘上的安放槽内之后，所述晶片的圆心相对于所述安放槽的圆心的中心偏差，其特征在于，在所述托盘上表面上建立二维坐标系，所述坐标系以所述安放槽的圆心为原点、所述安放槽的圆心与所述托盘的圆心之间的连线方向为X轴，以垂直于所述X轴的方向为Y轴；所述晶片位置偏差的检测方法包括以下步骤：S1，在所述托盘上表面与所述安放槽的边界处定义观察区域；S2，采集所述托盘在所述观察区域内的实时图像，并基于所述晶片和所述托盘的光反射率差异对所述实时图像进行灰度处理，以获得计算所述中心偏差所需的位置信息；S3，基于所述位置信息进行计算，以获得所述中心偏差；在所述步骤S1中，所述观察区域的形状、尺寸和位置被设置为：所述观察区域的边界与所述安放槽的边缘之间具有第一、第二交界点；并且，在所述观察区域内定义一个圆弧，该圆弧以所述托盘的圆心为圆心，且通过所述观察区域的圆心，并与所述安放槽的边缘之间具有第三交界点；晶片边缘与所述观察区域的边界之间具有第一、第二交叉点，晶片边缘与所述圆弧之间具有第三交叉点；在所述步骤S2中，所述晶片位置偏差所需的位置信息包括：所述第一～第三交界点对应地与第一～第三交叉点分别在所述X轴和Y轴上的距离；在所述步骤S3中，根据所述距离计算得出所述第一～第三交叉点分别在所述坐标系上的坐标；根据该坐标计算得出所述第一～第三交叉点所在圆的圆心坐标，从而获得所述晶片的圆心相对于所述安放槽的圆心分别在所述X轴和Y轴上的偏差量。